MÔ PHỎNG TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG DÂY NANO KẼM OXIT - Tiên, Nguyễn Thành; Nghĩa, Trần Hồng (Tạp chí Khoa học Đại học Cần Thơ, 2014)
Chúng tôi báo cáo các kết quả mô phỏng transistor hiệu ứng trường với nhiều cấu trúc cổng khác nhau nhằm tìm ra FET có đặc tính điện tốt nhất. Chúng tôi thay đổi "hệ cực cổng" với các cách sắp xếp cực cổng khác nhau (một cổng, hai cổng, ba cổng thường, cổng dạng p, cổng dạng W và cổng bao vòng quanh). Dựa vào kết quả mô phỏng là bộ dữ liệu số, chúng tôi vẽ các đường đặc tuyến Vôn-Ampe (I-V). Sau đó, chúng tôi tính các thông số vật lý ảnh hưởng đến hoạt động của FET gồm: điện áp ngưỡng, độ dốc dưới ngưỡng, dòng điện bão hòa, tỷ lệ dòng điện ở trạng thái mở và trạng thái đóng, độ dẫn truyền. Chúng tôi ghi nhận được rằng, cấu trúc cổng bao vòng quanh có nhiều tính chất tối ưu hơn các cấu trúc cổng khác, đặc biệt là nó hạn chế được hiệu ứng kênh ngắn.